Descripción este documento describe el módulo de memoria de valueram 512m x 64 - bit (4gb)ddr3 - 1600 cl11 sdram (synchronous dram) 1rx8 - basado en ocho componentes fbga de 512m x 8 - bit. el spd está programado para la latencia estándar jedec ddr3 - 1600timing de 11 - 11 - 11 a 1.5v. este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro. las especificaciónes eléctricas y mecánicas son las siguientes: características norma jedec 1.5v (1.425v ~1.575v) fuente de alimentación vddq = 1.5v (1.425v ~ 1.575v) 800mhz fck para 1600mb - seg - pin 8 banco interno independiente latencia cas programable: 11 - 10 - 9 - 8 - 7 - 6 latencia de aditivos programable: 0 - cl - 2 - o cl - 1 reloj precarga de 8 bits longitud de la ráfaga: 8 (intercalación sin límite - dirección de inicio secuencial pulgadas000pulgadas solamente) - 4 con tccd = 4 que no permite una lectura o escritura sin fisuras[ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs]. estroboscopio diferencial bidirecciónal de datos calibración interna: autocalibración interna a través de zqpin (rzq : 240 ohm ± 1%) terminación en el troquel usando un pin odt período medio de actualización 7.8us a menos que tcase 85°c -3.9us a 85°c < tcase < 95°c reinicio asíncrono pcb : altura 1.180pulgadas (30.00mm) - componente de doble cara especificaciones cl(idd)11 ciclos duración del ciclo de filas (trcmin)48.125ns (min.) actualizar a activo - actualizar 260ns (min.) tiempo de comando (trfcmin) fila tiempo activo (trasmin) 35ns (min.) potencia máxima de funciónamiento 2.100 w* clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funciónamiento 0o c a 85o c temperatura de almacenamiento - 55o c a +100o c *la potencia variará en función de la sdram utilizada.
KVR16S11S8/4
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